Self Field Instability in High-${\rm J}_{\rm c}$${\rm Nb}_{3}{\rm Sn}$ Strands With High Copper Residual Resistivity Ratio

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

A Comparison of Methods for Computing the Residual Resistivity Ratio of High-Purity Niobium

We compare methods for estimating the residual resistivity ratio (RRR) of high-purity niobium and investigate the effects of using different functional models. RRR is typically defined as the ratio of the electrical resistances measured at 273 K (the ice point) and 4.2 K (the boiling point of helium at standard atmospheric pressure). However, pure niobium is superconducting below about 9.3 K, s...

متن کامل

emittance control in high power linacs

چکیده این پایان نامه به بررسی اثر سیم پیچ مغناطیسی و کاوه یِ خوشه گر با بسامد رادیویی بر هاله و بیرونگراییِ باریکه هایِ پیوسته و خوشه ایِ ذرات باردار در شتابدهنده های خطیِ یونی، پروتونی با جریان بالا می پردازد و راه حل هایی برای بهینه نگهداشتن این کمیتها ارایه می دهد. بیرونگرایی یکی از کمیتهای اساسی باریکه هایِ ذرات باردار در شتابدهنده ها است که تاثیر قابل توجهی بر قیمت، هزینه و کاراییِ هر شتابدهند...

the relationship between academic self-concept and academic achievement in english and general subjects of the students of high school

according to research, academic self-concept and academic achievement are mutually interdependent. in the present study, the aim was to determine the relationship between the academic self-concept and the academic achievement of students in english as a foreign language and general subjects. the participants were 320 students studying in 4th grade of high school in three cities of noor, nowshah...

CMOS sensors with high resistivity epitaxial layer

A. Besson∗a, M. Wintera, J. Baudota, G. Bertolonea, N. Chon-Sena, G. Clausa, C. Colledania, Y. Degerlib, A. Dorokhova, G .Dozièrea, W. Dulinskia, M. Gelina, A. Geromitsosa, M. Goffea, A. Himmia, C. Hu-Guoa, K. Jaaskelainena, F. Morela, H. Phama, C. Santosa, S. Senyukova, M. Spechta, M. Szelezniaka, I. Valina, G. Voutsinasa. a IPHC/IN2P3/CNRS Université de Strasbourg Strasbourg, France b IRFU/SE...

متن کامل

Low resistivity metal silicide nanowires with extraordinarily high aspect ratio for future nanoelectronic devices.

One crucial challenge for the integrated circuit devices to go beyond the current technology has been to find the appropriate contact and interconnect materials. NiSi has been commonly used in the 45 nm devices mainly because it possesses the lowest resistivity among all metal silicides. However, for devices of even smaller dimension, its stability at processing temperature is in doubt. In this...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Applied Superconductivity

سال: 2009

ISSN: 1051-8223,1558-2515

DOI: 10.1109/tasc.2009.2019086